BW-IFSM/ITSM 二极管浪涌测试系统
可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管的浪涌测试。 二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏,以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围,轻者引起元件性能变坏(如伏安特性、通态峰值电压的变化),重者造成烧毁穿通而失去反向阻断能力。通过浪涌过载电流测试合格的器件,可以大大提高其在使用中的可靠性。
产品详情及参数
DETAILS AND PARAMETERS

技术指标:

 >  浪涌电流(IFSM/ITSM)调节范围:0.30~3.60kA

 >  分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA

 >  电流波形:正弦半波,底宽10ms

 >  测试频率:单次

 >  反向电压(VRRM)调节范围:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%

 >  反向电压测试频率:50Hz;

 >  反漏电流(IRRM)测试范围;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA

工作方式:

 >  由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值

 >  按测试按键后设备自动完成测试

外形尺寸:

 >  600×800×1900×1(宽×深×高×并柜数,单位:mm)

系统说明:

 >  上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。


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